芯片产品
- 发布日期：2024-01-10 17:40 点击次数：144
BFU590GX
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编号：
771-BFU590GX
制造商编号：
BFU590GX
制造商：
NXP Semiconductors
NXP Semiconductors
客户编号:
说明：
射频(RF)双极晶体管 NPN wideband silicon RF transistor
数据表:
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19 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1 倍数： 1
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单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
封装:
整卷卷轴（请按1000的倍数订购）
剪切带
eel™ (+¥15.00)
定价 (含13% 增值税)数量 单价
总价
剪切带/eel™ † 1 ¥10.0909 ¥10.09 10 ¥8.0004 ¥80.00 100 ¥6.5427 ¥654.27 500 ¥5.7743 ¥2，887.15 整卷卷轴（请按1000的倍数订购） 1，000 ¥4.5652 ¥4，565.20 2，000 ¥4.2601 ¥8，520.20 5，000 ¥4.0454 ¥20，227.00 10，000 ¥3.8985 ¥38，985.00 25，000 ¥3.8307 ¥95，767.50
† ¥15.00 eel™费将被加上并在购物车计算。所有eel™订单均不可撤消和退回。 ↩
× 包装选择
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剪切带
产品从完整卷轴带切割成定制数量。
eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
按照客户指定的数量切割产品卷轴。 所有 eel 订单均不可撤消和退回。
完整卷轴
订购数量必须与制造商的完整卷轴数量相符。 若要购买整个卷轴，请按1000的倍数订购。
卷轴和剪切带
以完整卷轴和剪切带的组合订购产品。
卷轴和eel™ （添加 ¥15.00 卷轴费）
以整个卷轴和 eel™ 的组合方式订购产品。
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产品属性 属性值 选择属性 制造商: NXP 产品种类: 射频(RF)双极晶体管 RoHS: 详细信息 系列: BFU590G 晶体管类型: Bipolar Wideband 技术: Si 晶体管极性: NPN 工作频率: 8.5 GHz 直流集电极/Base Gain hfe Min: 60 集电极—发射极最大电压 VCEO: 12 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 2 V 集电极连续电流: 200 mA 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 配置: Single 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: SOT-223-4 封装: Reel 封装: Cut Tape 封装: eel 商标: NXP Semiconductors 集电极—基极电压 VCBO: 24 V 直流电流增益 hFE 最大值: 130 增益带宽产品fT: 8.5 GHz 最大直流电集电极电流: 300 mA 工作温度范围: - 40 C to + 150 C 输出功率: 21.5 dBm Pd-功率耗散: 2 W 产品类型: RF Bipolar Transistors 工厂包装数量: 工厂包装数量: 1000 子类别: Transistors 类型: Wideband RF Transistor 零件号别名: 934067975115 单位重量: 97.726 mg
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产品合规性
CNHTS: 8541290000 CAHTS: 8541210000 USHTS: 8541290075 JPHTS: 8541210101 KRHTS: 8541219000 TARIC: 8541210000 MXHTS: 85412101 ECCN: EAR99
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BFU5x NPN Wideband Silicon RF 晶体管
NXP Semiconductor BFU5x NPN 宽带硅射频晶体管是符合 AEC-Q101 标准的低噪声、高击穿电压射频晶体管，适用于频率高达 2GHz 的小信号到中等功率应用。BFU5x 射频晶体管具有优异的性能，FUJI(富士)模块-亿配芯城 可产生 20dB 的最大增益，900MHz 频率下噪声值仅为 0.7dB。这些器件在低到中等功率时可实现更佳的信号接收，并使射频接收器能在嘈杂环境中更稳定地工作。用作（低噪声）放大器或振荡器时，BFU5x 射频晶体管支持高电源电压和高击穿电压。这使得这些器件成为汽车、通信、工业等应用的理想选择。该产品系列采用多种行业标准封装，包括 SOT323、SOT23和 SOT143 等。
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10，263- Vishay Semiconductors DG2523DN-T1-GE42024-01-11
- NXP Semiconductors BAP64Q,1252024-01-10