AO3404A采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。这个该器件适合用作负载开关或PWM应用。 产品分类：分立半导体产品 晶体管 封装外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 FET类型 N沟道 漏源极电压（Vdss）30v 漏极电流Id(最大值）5.8A 导通电阻Rds(on)28毫欧 栅源电压Vgss+20v 安装类型：表面贴装（SMT） 湿气敏感性等级（MSL）

标题：AOS品牌AOM065V120X2Q参数1200V SILICON CARBIDE MOSFET的技术和应用介绍 AOS品牌，作为全球知名的半导体供应商，一直以其卓越的产品质量和创新的技术而备受赞誉。今天，我们将为您详细介绍AOS品牌的一款关键产品——AOM065V120X2Q参数1200V SILICON CARBIDE MOSFET。 一、技术特点 AOM065V120X2Q是一款高性能的1200V MOSFET，采用Silicon Carbide材料技术，具有许多独特的优点。首先，

标题：AOS品牌AOM033V120X2参数1200V SILICON CARBIDE MOSFET的技术和应用介绍 AOS品牌的AOM033V120X2是一款具有1200V耐压能力的硅碳化硅MOSFET晶体管。它是一种电压控制器件，广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要高效、快速和节能的场合。 技术特点： 1. 1200V的耐压能力意味着该器件可以在更高的电压下正常工作，减少了对其他元件的压力，同时也能提高电路的整体效率。 2. 硅碳化硅材料的使用，使得AOM033V120X2具有更低的导通

标题：AOS品牌AOK500V120X2参数1200V SILICON CARBIDE MOSFET的技术和应用介绍 AOS品牌AOK500V120X2是一款采用1200V高耐压、超低导阻的SILICON CARBIDE MOSFET功率半导体器件。这款器件在技术上具有显著的优势，广泛应用在各种电子设备中，如电源转换、电机驱动、逆变器等。 首先，SILICON CARBIDE MOSFET是一种重要的功率半导体器件，具有高耐压、高电流、高频响应好等特点。AOK500V120X2的特殊之处在于采

标题：AOS品牌AOK065V65X2参数MOSFET N-CH 650V 40.3A TO247的技术和应用介绍 AOS品牌AOK065V65X2是一款高性能的N-Channel MOSFET，其参数包括650V、40.3A，并且封装为TO247。这种MOSFET器件在许多电子设备中都有广泛的应用，特别是在大电流开关电路和功率转换系统中。 技术特点： 1. 650V的额定电压和40.3A的额定电流，使得AOK065V65X2具有出色的功率密度和热性能。 2. TO247封装形式，使得器件具有