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3月18日消息，据韩国知名媒体The Chosun Daily的最新报道，韩国半导体领域企业SK海力士正积极调整其在中国的业务布局，以适应不断变化的市场环境和公司战略需求。这一重要决策旨在优化资源配置，提高运营效率，为公司的长远发展奠定坚实基础。 据了解，SK海力士计划关闭其成立于2006年的上海公司，这一决策并非一时冲动，而是经过深思熟虑和全面评估后作出的。多年来，上海销售公司一直是SK海力士在中国市场的重要支点，见证了公司的成长与变迁。然而，随着市场环境的不断变化和公司业务的快速发展，SK

近一年来存储器持续涨价，各大存储厂商都收获了不错的业绩，也更有动力推广3D NAND闪存以满足庞大的市场需求。继三星、东芝等厂家宣布64层3D NAND闪存之后，又一家韩系大厂SK 海力士也在日前发布了全球堆叠层数最多的72层NAND闪存。 SK 海力士的72层NAND闪存相比现在的48层芯片读写性能提升20%，不过其核心核心容量仅为256Gb (TLC)，比起三星的64层堆栈的512 Gb差距明显。据了解，新款72层闪存将在今年下半年投产，而512 Gb核心容量的闪存芯片也在路上了。 随着世

作为以智能手机为代表的智能终端产品都离不开的元器件，存储器一直是芯片行业最不可缺少的存在，最近三星更是凭借其在存储器芯片领域强大的实力打败英特尔，一举成为排名第一的芯片制造厂商。 根据IC Insights公布的2016年全球二十大半导体厂商榜单，可以发现三星电子、SK海力士、美光、东芝等四家企业都是以存储器芯片闻名的，除了目前正在出售存储芯片业务的东芝外，其余三大存储器芯片巨头都发布了最新一季的成绩单，一起来看看吧。 三星电子 7月27日，三星电子公布了截至6月30日的最新一季财报，报告显示

SK Hynix品牌是全球知名的存储芯片制造商之一，其生产的HY27UT084G2A-TPCB芯片是一款具有极高性能和稳定性的Nand Flash 4Gb 512Mx8 MLC芯片。该芯片广泛应用于各种电子产品中，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、服务器等。 首先，我们来了解一下Nand Flash技术。Nand Flash是一种非易失性存储器技术，它可以在断电后保存数据，而不需要任何维护。与传统的硬盘驱动器相比，Nand Flash具有更高的读写速度、更低的功耗和更高的耐用性。 HY27UT

SK Hynix品牌HY27US08281A-TPCB芯片：Nand Flash 128 MB技术与应用介绍 SK Hynix是一家全球知名的半导体制造商，其生产的HY27US08281A-TPCB芯片是一款广泛应用的Nand Flash 128 MB芯片。这款芯片以其独特的技术和方案应用，在各类电子产品中发挥着重要的作用。 首先，我们来了解一下HY27US08281A-TPCB芯片的特点。这款芯片采用了最新的NAND Flash技术，具有高速读写、数据保存时间长、耐久性好等特点。此外，它还采

韩国芯片厂商SK 海力士 (SK Hynix Inc.)10月25日公布2018年第3季(Q3)财报：营收年增41%(季增10%)至11.417万亿韩元、创历史新高；营益年增73%(季增16%)至6.472万亿韩元；营益率年增11个百分点(季增3个百分点)至57%；纯益年增54%(季增8%)至4.692万亿韩元。Thomson Reuters报导，Refinitiv调查显示，分析师原先预期SK海力士第3季营益将达到6.3万亿韩元。SK海力士表示，中国低端智能手机对高密度芯片日益增长的需求将有助

SK海力士于15日发表世界第一个符合JEDEC规格的DDR5 DRAM，而三星电子则在7月成功开发出10纳米级LPDDR5 DRAM，韩国半导体企业藉着连续发表新规格，企图引领全球的半导体市场，同时也趁中美贸易战之际，扩大了与中国DRAM的技术差距。 据《首尔经济》报导，一位业内相关人士表示，最近中国DRAM企业福建晋华遭到美国禁止输出半导体设备和材料，在福建晋华遇到困境的时候，韩国企业们趁机开始加速超差距战略。 SK海力士释出的DDR5是继DDR4的之后，新一代DRAM的标准规格，拥有超高速

君子报仇，十年不晚。SK海力士遭遇日本突袭，韩日存储企业的恩怨还要回到上世纪80年代。 01 日本突袭，SK海力士或将停产 一波未平，一波又起，G20峰会刚刚结束，中美科技角力大战还未平息。隔天，中国两大邻居日韩就开始掐架了。 7月1日，日本突然对韩国发起了让人意想不到的精准袭击，将加强3种半导体核心原料对韩国的出口管制，4日起，每次出口都必须向政府申请许可。同时，日本着手将韩国从白色国家清单中删除，自8月1日启动。 这三种受到出口管制的原材料分别为氟聚酰亚胺、抗蚀剂和高纯度氟化氢，是智能手机