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安森 相关话题

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标题:onsemi安森美FGA30N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN技术与应用介绍 onsemi安森美作为全球知名的半导体制造商,其FGA30N65SMD芯片IGBT FIELD STOP 650V 60A TO3PN在电力电子领域具有广泛的应用前景。这款芯片以其卓越的性能和可靠性,在各种工业应用中发挥着至关重要的作用。 技术特点: FGA30N65SMD芯片采用TO3PN封装,具有出色的热性能和电气性能。该芯片采用先进的IGBT技术,具有更高的开关频
标题:onsemi安森美FGB20N60SFD芯片IGBT 600V 40A 208W D2PAK技术与应用介绍 安森美半导体,全球领先的半导体解决方案供应商,近日推出了一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管)——FGB20N60SFD。这款芯片采用D2PAK封装,具有600V 40A的强大规格,适用于各种电子设备中需要高效、节能和可靠运行的应用场景。 FGB20N60SFD芯片的特点在于其高耐压、高电流能力和低导通电阻。这些特性使得它在电力转换系统、电机驱动系统、电源滤波器等领域具有广泛的应
标题:onsemi安森美FGB40N60SM芯片IGBT FIELD STOP 600V 80A D2PAK技术与应用介绍 onsemi安森美FGB40N60SM芯片是一款具有IGBT FIELD STOP技术的600V 80A D2PAK封装器件。这款芯片以其出色的性能和广泛应用在电力电子领域中,赢得了业界的广泛赞誉。 首先,我们来了解一下这款芯片的特点。FGB40N60SM采用先进的IGBT FIELD STOP技术,能够在高电压和高电流条件下保持高效运行。该技术通过优化器件内部的磁场分布
标题:onsemi安森美NGTB15N120LWG芯片IGBT 1200V 30A 156W TO247-3技术与应用介绍 安森美(onsemi)是一家全球知名的半导体公司,其NGTB15N120LWG芯片是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管),适用于各种电子设备,如电源转换器、电机驱动器、加热设备等。 该芯片采用TO247-3封装,具有1200V的耐压,电流容量为30A,功率为156W。这种封装形式提供了良好的散热性能,确保了芯片在高功率下稳定工作。 IGBT是一种复合开关器件,兼具晶体
标题:onsemi安森美NGD8205NT4G芯片:IGBT 390V 20A 125W DPAK的技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司,其NGD8205NT4G芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。这款芯片具有390V的额定电压,高达20A的额定电流,以及125瓦的额定功率,适用于各种电子设备。 首先,我们来了解一下IGBT的基本原理。它是一种复合型晶体管,结合了BJT和FET的特性,具有开关速度快、热稳定性好、驱动电压低等优点。NGD8205NT4G芯片
标题:onsemi安森美FGB7N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 14A D2PAK技术与应用详解 onsemi安森美FGB7N60UNDF芯片是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管)NPT 600V 14A D2PAK封装型号。这款芯片在电力电子领域中具有广泛的应用,特别是在电机驱动、电源转换和变频器等设备中。 首先,我们来了解一下IGBT的特点。它是一种复合型功率半导体器件,具有开关速度快、温度稳定性好、耐压高、电流容量大等特点。FGB7N60UNDF芯片的这些特性使其在各种
标题:onsemi安森美FGB5N60UNDF芯片IGBT NPT 600V 10A D2PAK技术与应用介绍 onsemi安森美FGB5N60UNDF芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),其额定电压高达600V,电流容量为10A,封装为D2PAK,适用于各种电子设备中。这款芯片以其出色的性能和广泛的应用领域,成为了市场上的热门选择。 技术特点: 1. 高电压:FGB5N60UNDF芯片的额定电压高达600V,能够承受较高的电压和电流,适用于需要大功率输出的设备。 2. 高电流容量:
标题:onsemi安森美NGB8207ANT4G芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美NGB8207ANT4G芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有365V 20A 165W的规格,封装为D2PAK3。这款芯片在工业应用中具有广泛的应用前景。 首先,我们来了解一下IGBT的特点。作为一款复合型器件,IGBT具有开关速度快、温度稳定性好、通态电流可调等优点,因此在逆变器、变频器、电机驱动等需要快速切换的电路中有着广泛的应用。同时,由于其较高的热导率,NGB8207ANT4G
标题:onsemi安森美TIG052TS-TL-E芯片IGBT 400V 8TSSOP的技术与应用介绍 onsemi安森美TIG052TS-TL-E芯片IGBT 400V 8TSSOP是一种先进的功率半导体器件,广泛应用于各种电子设备中。该器件采用先进的工艺技术,具有高耐压、高电流、低损耗等优点,因此在电力电子和电机控制等领域具有广泛的应用前景。 技术特点: 1. 高耐压:TIG052TS-TL-E芯片IGBT的额定电压高达400V,能够承受较高的电压和电流。 2. 高电流能力:该器件具有较高
标题:onsemi安森美FGL35N120FTDTU芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美FGL35N120FTDTU芯片是一款适用于高压电源系统的IGBT技术产品,其采用最新的技术,具有高效、高可靠性和高耐压等特点。 首先,FGL35N120FTDTU芯片采用了最新的IGBT技术,具有极高的开关速度和较低的损耗,从而提高了电源系统的效率。其次,该芯片采用了先进的热设计技术,具有优异的热稳定性和可靠性,能够承受更高的电压和更大的电流。此外,该芯片还具有较小的封装尺寸,能够适应更小体积的