晶圆代工龙头台积电7纳米制程供不应求，加上紧接而来的6纳米及5纳米即将投片量产，通过史上最高资本支出2,009亿元。由于台积电将在2020年扩大投资，国外半导体设备厂应用材料（Applied Materials）、ASML接连对2020年释出正面展望，准备抢食台积电大投资商机。 5G世代到来，智能手机、基地台及路由器等都出现升级商机，随着规格不断提升，晶圆制造先进制程升级需求亦不断成长，台积电目前即将推进到6纳米、5纳米制程，且当前的7纳米制程更呈现满载、供不应求。台积电因应产能满载及新制程需

近日上海芯元基半导体科技有限公司（以下简称“芯元基”）宣布，基于其独创的DPSS衬底技术（蓝宝石复合图形衬底），该公司开发出了低位错密度的高阻GaN（氮化镓）材料，可用于电子功率器件和微波射频器件等的制备。芯元基开发的GaN外延晶体质量已经高于蓝宝石衬底的GaN晶体质量，同时结合该公司独有的化学剥离技术可以完美地解决蓝宝石衬底的散热问题，为高端光电子器件、电子功率器件和微波射频器件等提供了一个新的方向。 SiC（碳化硅）和Si（硅）基 GaN 是目前电子功率器件的主要衬底材料。SiC基GaN外