欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:FUJI(富士)模块全系列-亿配芯城全系列-亿配芯城 > 话题标签 > 历史

历史 相关话题

TOPIC

近日据媒体报道,内存芯片厂商SK海力士表示继续对部分低利润存储产品进行减产,其效果从一季度逐渐开始显现,基于今年需求前景下调,继续调整库存水位较高产品的晶圆开工。资本支出将大砍50%以上,SK海力士通过投资先进技术确保市场领先性。 据SK海力士最新Q1财报显示,季度营收同比减少58%至5.088万亿韩元(约合40亿美元),环比下滑34%,营业利润-3.40万亿韩元(约合25.4亿美元),环比下滑79%,净利润-2.59万亿韩元(约合19.3亿美元),环比亏损收窄,同比由盈转亏。 SK海力士表示
近期据媒体报道,内存芯片厂商SK海力士正在推迟其在中国大连的第二个3D NAND工厂的完工,以应对内存市场需求萎缩和美国限制向中国出口先进晶圆厂工具。此外,由于向中国进口晶圆厂设备存在问题,SK海力士甚至可能在完成晶圆厂设备搬入之前出售晶圆厂外壳。 SK海力士于2021年接管英特尔的3D NAND生产和SSD业务,获得大连内存工厂。2022年5月开始建设,但施工尚未进入收尾阶段,尚未与晶圆厂设备供应商就交付和安装进行讨论。在最坏的情况下,SK海力士可能会决定卖掉大楼而不是安装昂贵的工具。 首先
5月2日有媒体报道称,韩国存储芯片制造商SK海力士将推迟建设并考虑出售其大连新晶圆厂。然而,SK海力士上周四在回应南华早报的询问时表示,大连工厂的建设将按计划完成,出售该设施的传闻未经证实。 此外,SK海力士最近发布的财报显示,公司一季度营收5.088万亿韩元,远不及去年同期的12.156万亿韩元,同比下滑58%;也不及上一季度的7.67万亿韩元,环比下滑34%。 需要指出的是,在过去的几年中,SK海力士一直在加大对中国市场的投资力度。其中,2021年12月,SK海力士以90亿美元的价格收购了
SK海力士H5AG36EXNDX017N DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 随着科技的飞速发展,储存芯片在我们的日常生活中扮演着越来越重要的角色。SK海力士H5AG36EXNDX017N DDR储存芯片,作为一款高性能的DDR3内存芯片,以其卓越的技术特性和应用方案,为我们带来了全新的储存体验。 首先,我们来了解一下SK海力士H5AG36EXNDX017N DDR储存芯片的技术特性。这款芯片采用了先进的DDR3内存技术,工作频率高达2133MHz。它具有极高的读取速度和低能耗特性,适用于各种
标题:SK海力士H5AG36EXNDX017 DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士公司一直致力于研发和生产高性能的DDR储存芯片,其H5AG36EXNDX017 DDR芯片就是其中的佼佼者。这款芯片采用了先进的工艺技术,具有高效能、低功耗、高稳定性的特点,在市场上具有广泛的应用前景。 一、技术特点 H5AG36EXNDX017 DDR芯片采用了SK海力士最新的工艺技术,包括高集成度、高速传输、低功耗等。在技术层面,该芯片支持DDR4标准,具有更高的数据传输速率和更低的功耗。此外,该芯
标题:SK海力士H58GG6MK6GX037N DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士,全球领先的半导体解决方案提供商,最近推出了一款新型的DDR储存芯片——H58GG6MK6GX037N。这款芯片以其卓越的性能和可靠性,为各类电子产品提供了强大的支持。 首先,我们来了解一下这款芯片的技术特点。H58GG6MK6GX037N是一款DDR3类型的内存芯片,它采用了最先进的1X80nm制程技术制造。DDR3内存芯片的特点在于其高速度、低功耗和低热量产生,这对于现代电子产品来说是非常重要的。
标题:SK海力士H58GG6MK6GX037 DDR储存芯片的技术与方案应用介绍 SK海力士公司,全球领先的半导体解决方案提供商,最近推出了一款新型的DDR储存芯片——H58GG6MK6GX037。这款芯片以其独特的技术和方案应用,展示了SK海力士在内存技术领域的领先地位。 首先,H58GG6MK6GX037采用了先进的DDR技术。DDR(双倍数据率)内存技术是一种高速度、高效率的内存技术,它允许数据在两个方向上同时流动,从而提高了数据传输速度和效率。H58GG6MK6GX037通过这种技术,
标题:SK海力士H58G78BK7BX114 DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士,全球领先的半导体公司,最近发布了一款全新的DDR储存芯片——H58G78BK7BX114。这款芯片以其独特的性能和可靠性,正在改变着我们的数字生活。 首先,我们来了解一下H58G78BK7BX114的特点。这款芯片采用了最新的DDR5技术,提供了更高的数据传输速率和更低的功耗。它采用了SK海力士自主研发的先进封装技术,大大提高了芯片的稳定性和耐用性。此外,它还支持最新的ECC纠错码技术,能够更有效地检
标题:SK海力士H58G66BK7BX067 DDR储存芯片的技术和方案应用介绍 SK海力士公司,全球领先的半导体解决方案提供商,最近推出了一款名为H58G66BK7BX067的DDR储存芯片,这款芯片以其独特的技术和方案应用,在市场上引起了广泛的关注。 首先,我们来了解一下H58G66BK7BX067 DDR储存芯片的技术特点。这款芯片采用了SK海力士最新的DDR技术,具有高速、高密度、高稳定性的特点。它采用了先进的内存模组技术,能够提供更高的存储容量和更快的读写速度。此外,该芯片还采用了先
5月30日消息,据SK海力士官网宣布,他们已经开发出了目前DRAM中最为微细化的第五代10纳米级(1b)技术,并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供给英特尔公司。这项技术已经被英特尔的数据中心存储器认证程序(The Intel Data Center Certified memory program)认可,这是服务器用第四代至强®可扩展平台*( Intel® Xeon® Scalable platform)所采用的存储器产品兼容性的正式认证流程。 *HKMG(High-K Metal Ga