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近想配新电脑或者想给电脑升级内存的朋友应该发现了，从今年以来，内存价格一直在上涨。随着《绝地求生：大逃杀》的爆红，许多玩家都加入到了“吃鸡”大军中，虽然《绝地求生：大逃杀》所需配置不是很高，但内存是必须的。所以许多玩家都开始筹划着升级或者重新购置一台新电脑，但是看到当下内存的价格，都不惊叹出了一口气。 在去年的时候，一条8G DDR4 2400hz的内存在300元左右，如今已经涨到了900多元，而即将被淘汰的DDR3内存也从250元飙升至500元，这可以说是前所未有的。要知道1年前，内存价格只

在电子电路设计当中很多情况下都要考虑 EMC 的问题。在设计中使用 MOS 管时，在添加散热片时可能会出现一种比较纠结的情况。当 MOS 管的 EMC 通过时，散热片需要接地，而在散热片不接地的情况下，EMC 是无法通过的。那么为何会出现这种现象呢？ 简单来说，针对传导可以将一些开关辐射通过散热器传导到大地回路，减弱了走传输线，让流通的路径更多了。针对辐射，没接地的散热器不仅没好处，反而是辐射发射源，对 EMC 坏处更大，同时接地了，能起到一定的屏蔽效果，所以布板时，将大电解电容用来做屏蔽用，

我们用电桥测试变压器漏感时，要短路副边，测试原边得到的电感量则为漏感。你有想过为什么要短路副边，这样测试的原理是什么? 如图是理想变压器，理想变压器遵循以下公式： V2 = N2/N1*V1 N2：副边的匝数 N1：原边的匝数 但实际中变压器总是不理想的，总有一部分磁通不参与能量传递，在原边兴风作浪，产生很多不利影响。这部分不传递能量到副边的磁通产生的电感就是漏感，实际变压器的等效图如下： 等效图中漏感总是绕组串联的。为了测量绕组的电感量，我们使用电桥施加一定的频率一定的电压进行测量，测量原理

串联 在串联时，需要注意静态截止电压和动态截止电压的对称分布。 在静态时，由于串联各元件的截止漏电流具有不同的制造偏差，导致具有 漏电流的元件承受了 的电压，甚至达到擎住状态。但只要元件具有足够的擎住稳定性，则无必要在线路中采用均压电阻。只有当截止电压大于 1200V 的元件串联时，一般来说才有必要外加一个并联电阻。 假设截止漏电流不随电压变化，同时忽略电阻的误差，则对于 n 个具有给定截止电压 VR 的二极管的串联电路，我们可以得到一个简化的计算电阻的公式： 以上 Vm 是串联电路中电压的

mos在控制器电路中的工作状态：开通过程（由截止到导通的过渡过程）、导通状态、关断过程（由导通到截止的过渡过程）、截止状态。Mos主要损耗也对应这几个状态，开关损耗（开通过程和关断过程），导通损耗，截止损耗（漏电流引起的，这个忽略不计），还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内，mos即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。而开关损耗往往大于导通状态损耗，不同mos这个差距可能很大。 Mos损坏主要原因：过流----------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；过压