肖特 相关话题

在负载点(POL)降压转换器领域，同步变化的高边和低边有源开关已被广泛使用。图1显示了具有理想开关的此类电路。与使用无源肖特基二极管作为低边开关的架构相比，此类开关稳压器具有多项优势。主要优势是电压转换效率更高，因为与采用无源二极管的情况相比，低端开关承载电流时的压降更低。 但是，与异步开关稳压器相比，同步降压转换器会产生更大的干扰。如果图1中的两个理想开关同时导通，即使时间很短，也会发生从输入电压到地的短路。这会损坏开关。必须确保两个开关永远不会同时导通。因此，出于安全考虑，需要在一定时间内

碳化硅SiC的能带间隔为硅的2.8倍（宽禁带），达到3.09电子伏特。其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，高达3.2MV/cm.，其导热率是硅的3.3倍，为49w/cm.k。 它与硅半导体材料一样，可以制成结型器件、场效应器件、和金属与半导体接触的肖特基二极管。 其优点是： （1）碳化硅单载流子器件漂移区薄，开态电阻小。比硅器件小100-300倍。由于有小的导通电阻，碳化硅功率器件的正向损耗小。 （2）碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而

肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基势垒二极管(SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 SBD具有开关频率高和正向压降低等优点，但其反向击穿电压比较低，大多不高于60V，最高仅约100V，以致于限制了其应用范围。像在开关电源(S

在高频率、大电流量整流器及其续流电源电路中，很多应用了快恢复二极管（FBR）、极快恢复二极管（SRD）和肖特基二极管（SBD）。肖特基二极管运用了肖特基，来对金属材料或半导体材料表面上的反向工作电压来开展阻拦，进而让电流量开展单边的传输。与传统式的二极管不一样，肖特基与PN结的构造对比，存有挺大的差别。迅速恢复二极管，说白了是一种可以迅速恢复反向時间的半导体材料二极管，文中关键从结构特点、技术参数层面来开展剖析比照。 介绍 肖特基二极管是以金属材料和半导体材料触碰产生的势垒为基本的二极管，通称

属性 平均整流电流-最大值千毫安 峰值电流-最大值12A 反向电压-最大值[Vrrm] 40V 反向电流-最大值100μA 正向电压425mV 功耗 特点和好处 高电流能力（IF = 1A） 低VF 完全无铅且完全符合RoHS标准（注1和2） 卤素和无锑。 “绿色”装置（注3） 符合AEC-Q101高可靠性标准 机械数据 表壳材质：模压塑料，“绿色”成型复合物。UL 易燃性分类等级94V-0 湿气敏感度：J-STD-020的1级 端子：哑光锡表面处理退火合金42引线框架。 可根据MIL-STD