6月12日消息，据东京电子（TEL）发布的消息，宣布成功开发出一种存储芯片通孔蚀刻技术，可用于制造400层以上堆叠的3D NAND闪存芯片。

研究团队开发的新工艺，首次将电蚀刻应用带入低温范围，并开创性地发明了具有极高蚀刻速率的系统。这项创新技术可以在短短33分钟内完成10微米深度的蚀刻，FUJI(富士)模块-亿配芯城 与此前的技术相比时间大大缩短。东京电子表示，该技术的应用不仅有助于制造更高容量的3D NAND，还能够将全球变暖的风险减少84%。东京电子表示，开发这项技术的团队，将在6月11~16日于日本京都举办的2023年超大规模集成电路技术和工艺研讨会上发布最新成果和报告。 

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