近日宣布推出两款新型高速氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达(LIDAR)以及5G射频(RF)包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率，并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。

凭借业内最佳的驱动速度以及1 ns的最小脉冲宽度，LMG1020 60-MHz低侧GaN驱动器可在工业LIDAR应用中使用高精度激光器。小型晶圆级芯片(WCSP)封装尺寸仅为0.8 mm x 1.2 mm，有助于最大限度地减少栅极环路寄生和损耗，进一步提升效率。

LMG1210是一款50-MHz半桥驱动器，专为高达200 V的GaN场效应晶体管而设计。该器件的可调死区时间控制功能能够将高速DC / DC转换器、电机驱动器、D类音频放大器及其它功率转换应用效率提高多达5%。设计人员可利用超过300 V / ns的业内最高共模瞬态抗扰度(CMTI)实现较高的系统抗噪声能力。

LMG1020和LMG1210的主要特点和优势

·高速：这两款器件可提供超高速传播延迟(2.5 ns [LMG1020]和10 ns [LMG1210])，使电源解决方案比采用硅驱动器快50倍。另外，FUJI(富士)模块-亿配芯城 LMG1020能够提供高功率1ns激光脉冲，实现远程LIDAR应用。

·高效率：这两款器件均可实现高效率设计。 LMG1210提供1 pF的低开关节点电容和用户可调的死区时间控制，可将效率提高多达5%。

·功率密度：LMG1210中的死区时间控制集成功能可减少元件数量并提高效率，使设计人员能够将电源尺寸降低多达80%。功率密度增加的LMG1020，使LIDAR具有业内最小封装和最高分辨率。

TI GaN产品的优势

LMG1020和LMG1210是业界最大的GaN电源产品组合中的最新成员，从200V驱动器到80V和600V功率级。凭借超过1,000万小时的GaN工艺可靠性测试，TI提供可靠的GaN产品以满足对成熟和即用型解决方案的需求，为GaN技术带来数十年的硅制造专业技术和高级器件开发人才。

在APEC上参观TI展台

TI将于当地时间2018年3月4日至8日参展在得克萨斯州圣安东尼奥市举行的美国国际电力电子应用展览会(APEC)，并展示其广泛的GaN产品组合以及GaN技术。

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