单项导电性，就是双方向的导电性能。

比方常用的电线，是双向的导电性。电流能够从这边传到那边，也能够从那边传到这边。

二极管就是单项导电的，他从一级到另一级的电阻简直为零，而反向电阻却很大，接近绝缘。

这样的性能就是单项导电性

PN结加正向电压时，能够有较大的正向扩散电流，即呈现低电阻， 我们称PN结导通； PN结加反向电压时，只要很小的反向漂移电流，呈现高电阻， 我们称PN结截止。 这就是PN结的单导游电性。

（1）正向：将P型区接电源正极，N型区接电源负极，则外电场削弱了内电场。扩散运动增强，漂移运动削弱，扩散大于漂移，构成正向电流IF。结电压很低，显现正向电阻很小，称为正导游通。

（2）反向：将P型区接电源负极，N型区接电源正极，则外电场增强了内电场。扩散运动削弱，漂移运动加强，漂移大于扩散，构成反向电流IR。由于漂移运动是由少子构成，数量很少，所以IR很小，能够疏忽不计，但IR受温度影响较大。结电压近似等于电源电压，显现反向电阻很大，称为反向截止。

PN结正导游通，反向截止，即为单导游电性。

采用不同的掺杂工艺，将P型半导体与N型半导体制造在同一块硅片上，在它们的接壤面就构成空间电荷区称PN结。PN结具有单导游电性。

PN结：一块单晶半导体中 ，一局部掺有受主杂质是P型半导体，另一局部掺有施主杂质是N型半导体时 ，P 型半导体和N型半导体的接壤面左近的过渡区称。PN结有同质结和异质结两种。用同一种半导体资料制成的 PN 结叫同质结 ，由禁带宽度不同的两种半导体资料制成的PN结叫异质结。制造PN结的办法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等。制造异质结通常采用外延生长法。

在 P 型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。在电场的作用下，FUJI(富士)模块-亿配芯城 空穴是能够挪动的，而电离杂质（离子）是固定不动的 。N 型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子。当P型和N型半导体接触时，在界面左近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消逝。因而在界面左近的结区中有一段间隔短少载流子，却有散布在空间的带电的固定离子，称为空间电荷区 。P 型半导体一边的空间电荷是负离子 ，N 型半导体一边的空间电荷是正离子。正负离子在界面左近产生电场，这电场阻止载流子进一步扩散 ，到达均衡。

在PN结上外加一电压 ，假如P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，以至消逝，电流能够顺利经过。假如N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单导游性。

PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场加强。反向电压增大到一定水平时，反向电流将忽然增大。假如外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流忽然增大时的电压称击穿电压。根本的击穿机构有两种，即隧道击穿和雪崩击穿。

PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改动。

依据PN结的资料、掺杂散布、几何构造和偏置条件的不同，应用其根本特性能够制造多种功用的晶体二极管。如应用PN结单导游电性能够制造整流二极管、检波二极管和开关二极管，应用击穿特性制造稳压二极管和雪崩二极管；应用高掺杂PN结隧道效应制造隧道二极管；应用结电容随外电压变化效应制造变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相分离还能够制造多种光电器件。如应用前向偏置异质结的载流子注入与复合能够制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；应用光辐射对PN结反向电流的调制造用能够制成光电探测器；应用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，应用两个PN结之间的互相作用能够产生放大，振荡等多种电子功用 。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的中心，是现代电子技术的根底。亿配芯城（WWW.YiBEiiC.COM)隶属于深圳市新嘉盛工贸有限公司，成立于2013年并上线服务，商城平台主要特点“线上快捷交易配单+线下实体供应交货”两全其美的垂直发展理念，是国内电子元器件专业的电子商务平台+实体店企业。未来发展及模式主要以（一站式配单，平台寄售/处理闲置库存达到资源共享双赢，电子工程师交流社区，硬件开发与支持等互动服务平台）在这个高效而发展迅猛的科技互联网时代为大家提供精准的大数据资源平台。

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