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标题：onsemi FGHL75T65LQDT芯片：FS4低VCESAT IGBT 650V 75A TO2的技术与应用介绍 onsemi FGHL75T65LQDT芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，它采用了先进的FS4低VCESAT技术，具有高耐压、大电流和高效率等特点。该芯片采用TO2封装形式，适用于各种电源和电机驱动系统。 技术特点： * 高压650V耐压，电流可达75A； * 采用FS4低VCESAT技术，降低了饱和电压，提高了效率； * 内部集成热敏电阻和过热保护功
标题：onsemi FGHL75T65MQDT芯片：FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24的技术和应用介绍 onsemi FGHL75T65MQDT芯片是一款高性能的FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24。这款芯片以其出色的性能和可靠性，广泛应用于各种电子设备中，特别是在电源转换和电机控制等领域。 FGHL75T65MQDT芯片采用先进的半导体技术，具有高耐压、大电流和高效率等特点。其内部集成度高，结构紧凑，易于集成到现有的电路中。此外，它还
标题：onsemi安森美FGHL75T65MQD芯片IGBT 650V 75A TO247的技术和应用介绍 onsemi安森美FGHL75T65MQD芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，采用TO247封装，适用于各种高效率的电源转换应用。该芯片具有650V的耐压和75A的电流规格，适用于需要高效、高功率转换的电子设备。 技术特点： 1. 650V的耐压和75A的电流规格，使得FGHL75T65MQD芯片在电源转换应用中具有出色的性能。 2. 采用TO247封装，具有高散热性能，
标题：onsemi FGHL75T65MQDTL4芯片：FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24技术详解及应用介绍 onsemi安森美FGHL75T65MQDTL4芯片是一款高性能的FS4 MID SPEED IGBT 650V 75A TO24。这款芯片以其出色的性能和广泛的应用领域，在电力电子领域中占据着重要的地位。 FGHL75T65MQDTL4芯片采用了先进的650V技术，能够承受高达75A的电流，提供了出色的功率转换效率。其TO24封装设计，使得芯片具有较高的
标题：onsemi安森美FGH75T65UPD芯片IGBT 650V 150A 375W TO-247AB的技术和应用介绍 onsemi安森美FGH75T65UPD芯片是一款高性能的IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 650V 150A 375W TO-247AB封装产品，具有广泛的技术和应用前景。 技术特性方面，FGH75T65UPD采用了先进的IGBT技术，具有更高的开关速度和更低的功耗。其650V的电压规格能够承受较大的电流和功率，适用于各种
标题：onsemi FGHL50T65MQDTL4芯片：FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24的技术与应用介绍 onsemi安森美FGHL50T65MQDTL4芯片是一款高性能的FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24。该芯片以其卓越的性能和广泛的应用领域，在电力电子领域中发挥着重要的作用。 FGHL50T65MQDTL4芯片采用了先进的半导体技术，具有高耐压、大电流和高效率等特点。其独特的结构设计，使得其在各种恶劣环境下仍能保持良好的性能。此
标题：onsemi安森美FGHL50T65MQDT芯片：FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24的技术与应用介绍 安森美（onsemi）FGHL50T65MQDT芯片是一款高性能的FS4 MID SPEED IGBT 650V 50A TO24。这款芯片以其卓越的性能和广泛的应用领域，在电力电子领域中占据着重要的地位。 技术特点： 1. 芯片采用先进的650V SiC技术，确保高效率和高可靠性。 2. 芯片内部集成有栅极驱动和保护功能，简化电路设计。 3. 芯片具有高速
标题：onsemi安森美FGHL50T65MQD芯片IGBT 650V 50A TO247的技术和应用介绍 onsemi安森美FGHL50T65MQD芯片是一款高性能的IGBT（绝缘栅双极晶体管），其特点是650V的电压规格和高达50A的电流输出。这款芯片广泛应用于各种电子设备中，特别是在电力转换和控制领域。 技术特点： 1. 650V的电压规格使得FGHL50T65MQD芯片能够承受更高的电压，增强了系统的稳定性和可靠性。 2. 50A的电流输出意味着芯片可以有效地控制大电流的流动，适用于各