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安森 相关话题

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标题:onsemi安森美AFGB40T65RQDN芯片:技术与应用解析 安森美(onsemi)是一家全球知名的半导体解决方案提供商,其AFGB40T65RQDN芯片是一款高性能的IGBT模块,具有650V/40A的规格,适用于各种工业和电源应用。 技术特点方面,AFGB40T65RQDN采用了先进的FS4 SCR IGBT技术,具有高效率和卓越的动态性能。其D2PAK封装设计使得它在空间紧凑的设备中也能发挥出色的性能。此外,该芯片还具有自动故障保护功能,确保了系统的稳定性和可靠性。 应用领域方
标题:onsemi安森美FGB3040G2-F085芯片IGBT 400V 41A TO263技术与应用介绍 安森美(onsemi)FGB3040G2-F085芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),适用于各种工业和电源应用。该芯片采用TO263封装,具有400V的额定电压和41A的额定电流,适用于高功率转换和高频率开关的应用。 技术特点: * 高输入电压范围:FGB3040G2-F085芯片具有宽广的输入电压范围,适用于各种工业和电源应用。 * 高效率转换:由于其高功率和高频率开关能
标题:onsemi安森美MGY30N60D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3P技术与应用详解 onsemi安森美MGY30N60D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3P是一款高性能的氮化镓(GaN)功率半导体器件,广泛应用于电力转换和电源管理领域。本文将深入解析其技术原理、应用领域及优势,帮助读者更好地了解该器件。 一、技术原理 MGY30N60D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3P采用先进的氮化镓材
标题:onsemi安森美MGW12N120D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 20A的技术与应用介绍 安森美(onsemi)的MGW12N120D芯片TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 20A是一款高性能的电力电子器件,广泛应用于各种需要大电流转换的场合。 首先,我们来了解一下MGW12N120D的技术特点。该芯片采用了先进的IGBT技术,具有更高的耐压和更高的电流容量,可以承受高达1.2KV的电压,同时提供高达20A的电流输出。这使得该芯片在许多应用
标题:onsemi安森美NGTG25N120FL2WG芯片IGBT技术与应用详解 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司,其生产的NGTG25N120FL2WG芯片IGBT是一款高性能的半导体器件,广泛应用于各种领域。本文将详细介绍这款芯片的IGBT技术、应用领域以及实际应用案例,帮助读者更好地了解其性能和应用。 一、技术特点 NGTG25N120FL2WG芯片IGBT是一款1200V、25A的IGBT模块,具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其内部结构包括多个半导体晶体管,通过控制信号的
标题:onsemi安森美FGD3440G2-F085芯片IGBT 400V 26.9A TO252AA的技术与应用介绍 安森美半导体FGD3440G2-F085芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具有400V和26.9A的规格,封装为TO252AA。这款芯片广泛应用于各种电源和电机驱动系统,以其高效率、高可靠性以及易于集成的特性而受到广泛关注。 技术特性上,FGD3440G2-F085芯片具有快速开关速度、低导通电阻和出色的热性能。这些特性使其在需要高效电源转换和快速电流控制的系
标题:onsemi安森美FGD3040G2-F085芯片IGBT 400V 41A TO252AA的技术与应用介绍 安森美半导体FGD3040G2-F085芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),其额定电压高达400V,最大电流达41A,封装形式为TO252AA。这款芯片具有卓越的导通电阻和开关速度,使得它在各种电子设备中广泛应用。 首先,FGD3040G2-F085芯片采用了先进的工艺技术,具备高速的开关性能和优异的热稳定性,为系统提供高效的能源转换和传输。这使得它在电源转换、电机驱
标题:onsemi安森美FGD3050G2V芯片:IGBT 500V 27A DPAK-3的技术与应用介绍 onsemi安森美FGD3050G2V芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),具有500V和27A的规格,封装为DPAK-3。这款芯片广泛应用于各种电子设备中,特别是在电力转换和调节领域。 技术特点: 1. 高压性能:FGD3050G2V的额定电压为500V,能够承受较高的电压和电流,适用于需要高压工作的场景。 2. 快速开关特性:IGBT具有快速的开关特性,能够在短时间内进行导
标题:onsemi安森美FGD3245G2-F085C芯片ECOSPARK2 IGN-IGBT TO252技术与应用详解 onsemi安森美FGD3245G2-F085C芯片,一款专为高效率、高功率密度电源应用设计的IGN-IGBT TO252封装,其独特的ECOSPARK2技术,使得该芯片在性能和效率上达到了新的高度。 首先,我们来了解一下ECOSPARK2技术。ECOSPARK2是一种创新的散热设计,通过优化芯片的散热表面和热传导路径,大大提高了芯片的散热效率,从而降低了芯片的工作温度,延
标题:onsemi安森美FGD3245G2-F085V芯片IGBT 450V DPAK技术与应用介绍 onsemi安森美FGD3245G2-F085V芯片IGBT 450V DPAK是一种高效、高耐压的绝缘栅双极晶体管,被广泛应用于电力电子领域。这款芯片在开关应用中表现出了出色的性能,包括高电流密度、快速开关特性和低导通电阻等。 FGD3245G2-F085V芯片IGBT采用了先进的半导体技术,具有高耐压、大电流和高热导率等特点,使其在电力转换和调节中发挥了重要作用。该芯片的封装为DPAK,具